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넳 넲

小蜜蜂家族

ꄴ前一个： Arora-V
ꄲ后一个： 晨熙家族

 

 

 

 

 

 

 

可编辑逻辑器件产品高性能、低功耗，集成32bits低功耗 MCU，功耗低至5nA的电源管理单元，及低功耗 蓝牙5.0技术。通过集成具有灵活I/O和异构计算能力的可编辑逻辑器件，进一步拓展了蓝牙设备的灵活性。

 

● 集成低功耗蓝牙5.0技术

● 内嵌32bits低功耗ARC处理器

△ 136kB ROM

△ 128kB OTP for power efficiency ：128KB OTP

△ 48kB IRAM and 28kB DRAM

● 电源管理单元

△ 芯片不使能时电流5nA1

△ 休眠模式时电流1.0uA1

△ 处理器和可编辑逻辑器件同时工作时电流<5mA

● 安全特性

△ TRNG

△ AES-128硬核加密

△ ECC-P256密钥生成器


注1：不包括外部调节器在待机状态下的漏电流

 

 

 

产品参数

 

器件

GW1N- 1

GW1N- 2

GW1N- 4

GW1N- 9

GW1N- 1S

GW1N-1P5

逻辑单元(LUT)

1152

2304

4608

8640

1152

1584

寄存器(FF)

864

2016

3456

6480

864

1584

分布式静态随机 存储器 S-SRAM(bits)

0

18432

0

17280

0

12672

块状静态随机存 储器 B-SRAM(bits)

72K

72K

180K

468K

72K

72K

块状静态随机存 储器数目 B-SRAM(个)

4

4

10

26

4

4

用户闪存- bits

96K

96K

256K

608K

96K

96K

乘法器(18x18 Multiplier)

0

0

16

20

0

0

锁相环(PLLs)

1

1

2

2

1

1

I/O Bank 总数

4

6注 2

4

4

3

6

最多用户 I/O

120

125

218

276

44

125

核电压（LV 版本 ）

1.2V

1.2V

1.2V

1.2V

1.2V

1.2V

核电压（UV 版本 ）

1.8V/2.5V/3.3V  注1

1.8V/2.5V/3.3V

2.5V/3.3V  注6

2.5V/3.3V  注6

-

1.8V/2.5V/3.3V

封装

间距(mm)

尺寸(mm)

GW1N- 1

GW1N- 2

GW1N- 4

GW1N- 9

GW1N- 1S

GW1N-1P5

CS30

0.4

2.3x2.4

24

-

-

-

23

-

QN32

0.5

5x5

26

21(1)

24(3)

-

-

-

QN32X

0.5

5x5

-

21(1)

-

-

-

-

FN32

0.4

4x4

-

-

-

-

25

-

CS42

0.4

2.4x2.9

-

24(7)

-

-

-

-

CS42H

0.4

2.4x2.9

-

36(3)

-

-

-

-

QN48

0.4

6x6

41

40(12)

40(9)

40(12)

-

-

QN48H

0.4

6x6

-

30(8)

-

-

-

-

QN48F

0.4

6x6

-

-

-

39(11)

-

-

QN48X

0.5

7x7

-

-

-

-

-

39(10)

QN48XF

0.5

7x7

-

-

-

-

-

40(11)

CM64

0.5

4.1x4.1

-

-

-

55(16)注 3

-

-

CS72

0.4

3.6x3.3

-

-

57(19)

-

-

-

CS81M

0.4

4.1x4.1

-

-

-

55(15)

-

-

QN88

0.4

10x10

-

57(17)

70(11)

70(19)

-

-

CS100H

0.4

4x4

-

88(27)

-

-

-

-

LQ100

0.5

14x14

79

80(15)

79(13)

79(20)

-

80(16)

LQ100X

0.5

14x14

-

80(15)

-

-

-

80(16)

LQ144

0.5

20x20

116

113(28)

119(22)

120(28)

-

-

LQ144X

0.5

20x20

-

113(28)

-

-

-

-

LQ144F

0.5

20x20

-

115(27)

-

-

-

-

EQ144

0.5

20x20

-

-

-

120(28)

-

-

MG49

0.5

3.8x3.8

-

42(11)

-

-

-

-

MG100

0.5

5x5

-

-

-

87(25)

-

-

MG100T

0.5

5x5

-

-

-

87(17)

-

-

MG121

0.5

6x6

-

100(28)

-

-

-

-

MG121X

0.5

6x6

-

100(28)

-

-

-

-

MG132

0.5

8x8

-

104(29)

-

-

-

-

MG132H

0.5

8x8

-

94(29)

-

-

-

-

MG132X

0.5

8x8

-

104(29)

105(23)

-

-

-

MG160

0.5

8x8

-

-

131(25)

131(38)

-

-

UG169

0.8

11x11

-

-

129(27)

129(38)

-

-

LQ176

0.4

20x20

-

-

-

147(37)

-

-

EQ176

0.4

20x20

-

-

-

147(37)

-

-

MG196

0.5

8x8

-

-

-

113(35)

-

-

PG256

1.0

17x17

-

-

207(32)

207(36)

-

-

PG256M

1.0

17x17

-

-

207(32)

-

-

-

UG256

0.8

14x14

-

-

-

207(36)

-

-

UG332

0.8

17x17

-

-

-

273(43)

-

-

 

注1：目前GW1N-1器件中仅LQ100X封装支持UV版本，封装兼容性请查阅数据手册。
注2：GW1N-2 CS42封装的IO Bank 总数为7个。

注3：GW1N-9 MC64封装只支持LV版本不支持UV版本。

注4：GW1N-1 CS30和GW1N-1S CS30/FN32仅支持SSPI配置模式。

注5：对于 GW1N-2 器件，若其 MODE[2]的值固定为 1，则其加载频率只能是2.5MHz。

注6：对于GW1N-4/GW1N-9 UV版本器件，如果Vcc和Vccx在某封装中共用一个管脚，那么GW1N-4/GW1N-9的Vccx范围（2.5V~3.3V）会将Vcc范围限制为2.5V~3.3V，此时Vcc不支持1.8V。

 

 

 

器件

GW1N-2（ 车规级）

GW1N-4（ 车规级）

逻辑单元(LUT4)

2304

4608

寄存器

2016

3456

分布式静态随机 存储器SSRAM(bits)

18432

0

块状静态随机存 储器BSRAM(bits)

72K

180K

块状静态随机存 储器数目BSRAM(个)

4

10

用户闪存(bits)

96K

256K

乘法器(18 x 18 Multiplier)

0

16

锁相环(PLLs)

1

2

I/O Bank总数

6

4

最大I/O数

125

218

核电压（LV版本 ）

1.2V

1.2V

封装

间距(mm)

尺寸(mm)

GW1N-2（ 车规级）

GW1N-4（ 车规级）

QN88

0.4

10 x 10

57（17）

70（11）

注：JTAGSEL_N和JTAG管脚是互斥管脚，JTAGSEL_N引脚和JTAG下载的4个引脚（TCK、TDI、TDO、TMS）不可同时复用为 I/O，此表格的数据为JTAG下载的4个引脚复用为I/O时的情况，但当mode[2:0]=001时，JTAGSEL_N管脚与JTAG配置的4个管脚（TCK、TMS、TDI、TDO） 可以同时设置为GPIO，此时最大用户I/O数加1。详细信息请参考GW1N系列FPGA产品(车规级)封 装与管脚手册。

 

 

 

器件

GW1NZ-1

逻辑单元(LUT4)

1152

寄存器(FF)

864

分布式静态随机存储器 S-SRAM(bits)

4K

块状静态随机存储器 B-SRAM(bits)

72K

锁相环(PLLs)

1

用户闪存-bits

64K

最大I/O数

48

核电压(LV版本)

1.2V

核电压(ZV版本)

0.9V

封装

间距(mm)

尺寸(mm)

GW1NZ- 1

FN32

0.4

4x4

25

FN32F

0.4

4x4

25

CS16

0.4

1.8x1.8

11

QN48

0.4

6x6

40

 

 

器件

GW1NZ-1( 车规级)

逻辑单元(LUT4)

1152

寄存器

864

分布式静态随机 存储器S-SRAM(bits)

4K

块状静态随机存 储器BSRAM(bits)

72K

锁相环(PLLs)

1

用户闪存(bits)

64K

最大I/O数

48

核电压（LV版本 ）

1.2V

封装

间距(mm)

尺寸(mm)

GW1NZ-1( 车规级)

QN48

0.4

6 x 6

 39

 

 

器件

GW1NR- 1

GW1NR- 2

GW1NR- 4

GW1NR- 9

逻辑单元(LUT)

1,152

2,304

4,608

8,640

寄存器(FF)

864

2,304
(FF +Latch,
其中FF：2016)

3,456

6,480

分布式静态随机 存储器
S-SRAM(bits)

0

0

0

17,280

块状静态随机存 储器 B-SRAM(bits)

72K

72K

180K

468K

块状静态随机存 储器 B-SRAM(个)

4

4

10

26

用户闪存- bits

96K

96K

256K

608K

SDR SDRAM (bits)

-

-

64M

64M

PSRAM(bits)

-

64M(MG49P)
32M(MG49PG)

32M(QN88P)
64M(MG81P)

64M (QN88P/LQ144P/MG100PT/MG100PS)
128M(MG100P/MG100PF/mg100pa)

NOR FLASH (bits)

4M

4M
(MG49G/MG49PG)

-

-

乘法器(18x18 Multiplier)

0

0

16

20

锁相环(PLLs)

1

1

2

2

I/O Bank 总数

4

7

4

4

最大I/O数

120

126

218

276

核电压（LV 版本 ）

1.2V

1.2V

1.2V

1.2V

核电压（UV 版本 ）

-

1.8V/2.5/3.3V

2.5/3.3V

2.5/3.3V

封装

器件

Memory类 型

容量

位宽

QN88

GW1NR-4

SDR SDRAM

64M

16 bits

GW1NR-9

SDR SDRAM

64M

16 bits

QN88P

GW1NR-4

PSRAM

32M

8 bits

GW1NR-9

PSRAM

64M

16 bits

MG81P

GW1NR-4

PSRAM

64M

16 bits

MG100P

GW1NR-9

PSRAM

128M

32 bits

MG100PF

GW1NR-9

PSRAM

128M

32 bits

MG100PA

GW1NR-9

PSRAM

128M

32 bits

MG100PT

GW1NR-9

PSRAM

64M

16 bits

MG100PS

GW1NR-9

PSRAM

64M

16 bits

LQ144P

GW1NR-9

PSRAM

64M

16 bits


FN32G
EQ144G
QN32X
QN48X
LQ100G
 

GW1NR-1

NOR FLASH

4M

1 bit

MG49P

GW1NR-2

PSRAM

64M

16 bits

MG49G

GW1NR-2

NOR FLASH

4M

1 bit

MG49PG

GW1NR-2

PSRAM

32M

8 bits

NOR FLASH

4M

1 bit

封装

间距(mm)

尺寸(mm)

GW1NR- 1

GW1NR- 2

GW1NR- 4

GW1NR- 9

QN88

0.4

10x10

-

-

70(11)

70(19)

QN88P

0.4

10x10

-

-

70(11)

70(17)

MG49P

0.5

3.8x3.8

-

30(8)

-

-

MG49PG

0.5

3.8x3.8

-

30(8)

-

-

MG49G

0.5

3.8x3.8

-

30(8)

-

-

MG81P

0.5

4.5x4.5

-

-

68(10)

-

MG100P

0.5

5x5

-

-

-

87(16)

MG100PF

0.5

5x5

-

-

-

87(16)

MG100PA

0.5

5x5

-

-

-

87(17)

MG100PT

0.5

5x5

-

-

-

87(17)

MG100PS

0.5

5x5

-

-

-

87(17)

LQ144P

0.5

20x20

-

-

-

120(20)

EQ144G

0.5

20x20

112

-

-

-

FN32G

0.4

4x4

26

-

-

-

QN32X

0.5

5x5

22

-

-

-

QN48X

0.5

7x7

39

-

-

-

LQ100G

0.5

14x14

79

-

-

-

 

 

 

器件

GW1NS- 4

GW1NS- 4C

逻辑单元(LUT4)

4,608

4,608

寄存器(FF)

3,456

3,456

块状静态随机存 储器 B-SRAM(bits)

180K

180K

块状静态随机存 储器 B-SRAM(个)

10

10

乘法器(18 x 18 Multiplier)

16

16

用户闪存- bits

256K

256K

锁相环(PLLs)

2

2

OSC

1，精度 ±5%

1，精度 ±5%

硬核处理器

-

Cortex- M3

I/O Bank 总数

4

4

最多用户 I/O

106

106

核电压

1.2V

1.2V

封装

间距(mm)

尺寸(mm)

GW1NS- 4

GW1NS- 4C

QN32

0.5

5x5

-

-

QN32U

0.5

5x5

-

-

CS36

0.4

2.5x2.5

-

-

CS36U

0.4

2.5x2.5

-

-

CS49

0.4

2.9x2.9

42(8)

42(8)

QN48

0.4

6x6

38(4)

38(4)

MG64

0.5

4.2x4.2

57(8)

57(8)

LQ144

0.5

20x20

-

-

 

注：封装前带“C”的器件内嵌硬核处理器，封装前不带“C”的器件不支持硬核处理器。

注：JTAGSEL_N 和 JTAG 管脚是互斥管脚，如果 JTAGSEL_N 管脚封装出来，最多用户 I/O 数量减 1 个。

 

 

器件

GW1NSR- 4

GW1NSR- 4C

逻辑单元(LUT4)

4,608

4,608

寄存器(FF)

3,456

3,456

块状静态随机存 储器
B-SRAM(bits)

180K

180K

块状静态随机存 储器
B-SRAM(个)

10

10

乘法器(18 x 18 Multiplier)

16

16

用户闪存- bits

256K

256K

PSRAM(bits)

64M

64M

HyperRAM(bits)

-

64M

NOR FLASH (bits)

-

32M

锁相环(PLLs)

2

2

OSC

1，精度 ±5%

1，精度 ±5%

硬核处理器

-

Cortex- M3

I/O Bank 总数

4

4

最多用户 I/O

106

106

核电压

1.2V

1.2V

器件

封装

Memory 类 型

容量

位宽

GW1NSR-4

MG64P

PSRAM

64Mb

16 bits

GW1NSR- 4C

MG64P

PSRAM

64Mb

16 bits

QN48P

HyperRAM

64MB

8 bits

QN48G

NOR FLASH

32Mb

1 bit

封装

间距(mm)

尺寸(mm)

GW1NSR- 4

GW1NSR- 4C

QFN48P

0.4

6x6

-

39(4)

MG64P

0.5

4.2x4.2

55(8)

55(8)

QFN48G

0.4

6x6

-

39(4)

 

 

器件

GW1NSE- 4C

逻辑单元(LUT4)

4,608

寄存器(FF)

3,456

块状静态随机存 储器 B-SRAM(bits)

180K

块状静态随机存储器 数目 B-SRAM(个)

10

分布式静态随机 存储器 S-SRAM(bits)

0

用户闪存(bits)

256

18X18乘法器

16

锁相环(PLLs)

2

OSC

1,+/-5% accuracy

硬核处理器

Cortex- M3

I/O Banks

3

核电压

1.2V

最多用户 I/O

106

封装

间距(mm)

尺寸(mm)

GW1NSE- 4C

  QN48

0.4

6x6

-

  LQ144

0.5

20x20

-

 

器件

GW1NSER- 4C

逻辑单元(LUT)

4,608

寄存器(FF)

3,456

块状静态随机存 储器 B-SRAM(bits)

180K

块状静态随机存 储器 B-SRAM(个)

10

用户闪存- bits

256K

HyperRAM(bits)

64M

NOR FLASH (bits)

32M

乘法器(18x18 Multiplier)

16

锁相环(PLLs)

2

I/O Bank 总数

4

最多用户 I/O

106

OSC

1，精度 ±5%

硬核处理器

Cortex- M3

核电压

1.2V

器件

封装

Memory 类 型

容量

位宽

GW1NSER- 4C

QN48P

HyperRAM

64Mb

8 bits

QN48G

NOR Flash

32Mb

1 bit

封装

间距(mm)

尺寸(mm)

GW1NSER- 4C

QN48P

0.4

6x6

38(4)

QN48G

0.4

6x6

38(4)

 

 

 

器件

GW1NRF-4B

逻辑单元(LUT4)

4606

寄存器(FF)

3456

块状静态随机存储器 B-SRAM(bits)

180K

块状静态随机存储器 B-SRAM（个）

10

用户闪存-bits

256K

18X18乘法器

16

PLLs

2

I/O Bank总数

4

最大I/O数

25

硬核处理器

ARC EM4

内存模块

136KB ROM
48KB IRAM
28KB DRAM
128KB OTP

射频模块

蓝牙 5.0 低功耗

安全加密模块

AES 硬核加密 TRNG 密钥生成器

低功耗模块

电源管理模块
DCDC 转换器

核电压（LV）

1.2V

核电压（UV）

1.8V/2.5V/3.3V

封装

间距(mm)

尺寸(mm)

GW1NRF- 4B

QFN48

0.4

6x6

25(4)